Samsung представила оптимизированный под ИИ-ускорители техпроцесс

Samsung Electronics объявила о новой инициативе по предоставлению комплексных "универсальных" решений в области ИИ для своих клиентов-литейщиков, сосредоточившись на технологиях для высокопроизводительных и маломощных чипов ИИ. На форуме Samsung Foundry Forum (SFF) в Сан-Хосе, Калифорния, Чой Си-Юн, глава литейного бизнеса Samsung, подчеркнул важность высокопроизводительных и маломощных полупроводников для реализации ИИ.

Samsung представила свой передовой технологический процесс Gate-all-around (GAA), оптимизированный для ИИ-ускорителей, а также интегрированную технологию совместной оптики (CPO), которая обеспечивает высокоскоростную обработку данных с низким энергопотреблением.

Компания намерена выпустить комплексное интегрированное решение ИИ на базе CPO к 2027 году, предлагая уникальную платформу ИИ "под ключ", объединяющую "опыт литейного производства, производства памяти и передовых упаковок (AVP)".

Кроме того, Samsung представила новые технологические узлы для литейного производства - SF2Z и SF4U - для 2-нанометрового и 4-нм техпроцессов соответственно. Техпроцесс SF2Z оснащен оптимизированной сетью передачи питания для повышения мощности, производительности и площади для высокопроизводительных вычислительных систем, а массовое производство намечено на 2027 год. Этот шаг позволит Samsung конкурировать с TSMC, которая планирует внедрить ту же технологию в свой 1,5-нм техпроцесс к 2026 году.