Ещё
Корабль РФ заподозрили в охоте за авианосцем США
Корабль РФ заподозрили в охоте за авианосцем США
В мире
"Привыкли к нападкам": Лавров после встречи с Трампом
"Привыкли к нападкам": Лавров после встречи с Трампом
Политика
"От безысходности": Зеленскому напомнили об актерстве
"От безысходности": Зеленскому напомнили об актерстве
Общество
Путин ответил на идею о выходном 31 декабря
Путин ответил на идею о выходном 31 декабря
Политика

Сибирские ученые создали композитный материал для гибкой электроники 

В России создан материал для гибкой электроники
Фото: ТАСС
Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП СО ) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.
"Исследователи… создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью): композит из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном. Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд", — говорится в сообщении.
В институте пояснили, что мемристор представляет собой микроэлектронный компонент, изменяющий свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда. Он может выступать и как быстродействующая ячейка памяти, и как компонент нейроморфных сетей.
"Перед нами стояла задача создать мемристорный материал для гибкой электроники, для этих целей хорошо подходит фторированный графен: он сохраняет стабильность при многократных переключениях, устойчив к изменениям температуры, механическим воздействиям. Однако, его недостатком является небольшая (1-2 порядка) разница токов для открытого и закрытого состояния мемристора. Чтобы решить проблему мы добавляли к фторированному графену материалы, позволяющие увеличить резистивный эффект", — приводятся в сообщении слова младшего научного сотрудника ИФП СО РАН .
Ученый отметил, что лучший результат показали композитные пленки, состоящие из фторированного графена и наночастиц оксида ванадия — разница между токами в открытом и закрытом состояниях, достигала девяти порядков, что позволяет создать систему из нескольких тысяч мемристоров. Это, с одной стороны, увеличивает емкость памяти, а с другой — дает возможность создавать нейроморфные сети, по принципу работы схожие с человеческим мозгом. Мемристоры из нового композитного материала печатают на 2D принтере. Напечатанные на полимерном материале структуры можно сгибать практически вдвое — проводящие компоненты не пострадают.
"В нашей лаборатории разработана надежная, удобная и воспроизводимая технология получения фторированного графена, которой больше нет нигде в мире. 2D печать, в свою очередь, не требует дорогостоящего оборудования, больших финансовых вложений. Конечно, персональный компьютер напечатать невозможно, но, например, телефоны сейчас стремятся сделать гибкими, как и другие гаджеты: фитнес-браслеты, носимые сенсорные системы для мониторинга состояния здоровья и так далее", — прокомментировала ведущий научный сотрудник института .
Перезаписать информацию на мемристоры, созданные новосибирскими физиками, можно до миллионов раз за рекордно короткое время, отметили в ИФП СО РАН.
Видео дня. Чиновница матом призвала волонтеров «вджобывать»
Комментарии
Читайте также
Новости партнеров
Больше видео