Сибирские физики получили материал для гибких элементов памяти

Новый материал, созданный физиками СО РАН, можно использовать для изготовления гибких элементов памяти электроники. Специалисты Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработали материал для мягких мемристоров. Этот композит из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном, можно использовать в качестве основы для гибких элементов памяти. Такие элементы выдерживают деформацию, а также способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего лишь за 30 наносекунд. Мемристоры могут выступать в качестве быстродействующей ячейки памяти и как компонент нейроморфных сетей. Исследователи задались целью создать мемристорный материал для гибкой электроники, используя фторированный графен. Этот материал сохраняет стабильность при многократных переключениях, устойчив к изменениям температуры и механическим воздействиям. Для увеличения резистивного эффекта учёные добавляли к фторированному графену наночастицы оксида ванадия. Мемристоры из нового композитного материала можно напечатать на 2D-принтере. Машина наносит специальные чернила на полимерный материал, после чего готовые структуры можно сгибать почти вдвое, сохраняя их работоспособность. В дальнейшем исследователи собираются проверить способность отдельных наночастиц композита выступать в качестве мемристоров для достижения предельной плотности компонентов. Фото: Виктор Яковлев/Наука в Сибири