Ученые обнаружили уязвимость перспективных полупроводников в сфере наноэлектроники
МОСКВА, 13 сентября. /ТАСС/. Ученые из России, Германии и Венесуэлы доказали уязвимость двумерного полупроводника - селенида галлия - на воздухе, что позволит создавать сверхпроводящую наноэлектронику на его основе, сообщила в среду пресс-служба Томского политехнического университета (ТПУ). Результаты исследования опубликованы в журнале Semiconductor Science and Technology. Двумерные полупроводники состоят из одного или нескольких слоев атомов. Благодаря своей компактности, электропроводности и прочности они могут стать основой для наноэлектроники. Кроме того, они представляют интерес для использования в оптоэлектронике, но для этого должны состоять из материала, который может создавать большие потоки электронов при облучении светом. Один из таких материалов - селенид галлия. "Изучение чувствительности селенида галлия к окислению позволит предложить решения для его защиты и сохранения оптоэлектронных свойств", - говорится в пресс-релизе. По словам одного из авторов исследования, профессора кафедры лазерной и световой техники ТПУ Рауля Родригеса, создать реальное электронное устройство на основе селенида галлия пока не удается. При контакте с воздухом он быстро окисляется и теряет свою электрическую проводимость, необходимую для создания наноэлектронных устройств. "Наши результаты показывают, что окисление двумерного селенида галлия является быстрым процессом. Материал достигает окисленного состояния почти сразу после контакта с воздухом", - говорят ученые. Как выяснили исследователи, чтобы селенид галлия не потерял свои свойства, он должен находиться в вакууме или инертной среде. Например, он может использоваться в капсулированных устройствах, которые изготавливаются в вакууме, после чего покрываются защитным слоем, ограничивающим проникновение воздуха. Таким методом могут быть изготовлены новейшая оптоэлектроника, детекторы, источники света, солнечные батареи. При сверхмалых размерах такие устройства будут обладать очень высокой квантовой эффективностью - то есть способностью создавать большие потоки электронов при малом внешнем воздействии.