Петербургские ученые разработали технологию для микроэлектроники будущего
Ученые из ИПМаш РАН первыми в стране создали технологию получения важнейшего материала, на котором держится вся микроэлектроника, - карбида кремния. Об этом сообщила пресс-служба института.
Кремний - основа для микросхем, используемых современных электронных приборов, компьютеров, приборов средств связи, датчиков и так далее. Он же используется при создании разнообразных электронных приборов: светодиодов, полупроводниковых лазеров, мобильных телефонов холодильников и прочих необходимых в быту вещей.
Несмотря на многие преимущества карбида, его главным недостатком материала являются узкий диапазон температур при использовании и влияние на него радиации.
Петербургские ученые нашли, чем заменить кремний, без отказа от технологий его изготовления. Новым материалом может стать карбид кремния, то есть соединение кремния с углеродом.
- В результате наших исследований был открыт принципиально новый метод выращивания монокристаллического карбида кремния на кремнии, - пояснил руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Арсеньевич Кукушкин. - Метод основан на согласованном замещении части атомов в кремнии на атомы углерода без разрушения кремниевой основы. Впервые в мировой практике реализована последовательная согласованная замена атомов одного сорта другими атомами прямо внутри исходного кристалла без разрушения его кристаллической структуры.
По его словам, качество структуры слоев, полученных данным методом, значительно превосходит качество пленок, выращенных на кремниевых подложках ведущими мировыми компаниями. К тому же метод оказался куда более дешевым и технологичным.
Как пояснили эксперты, электроника на основе карбида кремния сможет функционировать почти при 300°С и выдерживать высокое радиоактивное облучение при работе, к примеру, в космосе и на ядерных станциях.
