Гендиректор зеленоградского предприятия НИИМЭ выступит на научном совете в РАН

8 апреля в Синем зале здания РАН под председательством научного руководителя академика РАН Геннадия Красникова состоится научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Тема научного совета – «Больше Мура и больше, чем Мур». С докладами выступят: · «Современные транзисторные структуры» – академик РАН Красников Геннадий Яковлевич (АО «НИИМЭ»); · «Физические и технологические аспекты транзисторов на основе кремниевых нанопроводов с огибающим затвором: от сегментированных каналов к 3D стекам» – .д.ф.-м.н. Руденко Константин Васильевич, к.ф.-м.н. Вьюрков Владимир Владимирович, член-корр. РАН Лукичев Владимир Федорович (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН); · «3-D Flash – основы технологии, достижения и перспективы» – к.ф.-м.н. Ковешников Сергей Викторович (ИПТМ РАН); · «Эпитаксиальные фториды как универсальная платформа для электроники More Moore и More than Moore на основе двумерных материалов» – к.ф.-м.н., PhD Илларионов Юрий Юрьевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Institute for Microelectronics (TU Wien, Австрия)), к.ф.-м.н. Банщиков Александр Гаврилович, д.ф.-м.н. Соколов Николай Семенович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН), Федоров Владимир Викторович (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова), к.ф.-м.н. Сутурин Сергей Михайлович, профессор РАН, д.ф.-м.н. Векслер Михаил Исаакович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН), Knobloch Theresia, PhD Polyushkin Dmitry K., PhD Wachter Stefan, habilitated PhD Mueller Thomas, habilitated PhD Grasser Tibor (Institute for Microelectronics (TU Wien, Австрия); · «Вертикальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом на основе GaAs» – Архипова Екатерина Александровна, к.ф.-м.н. Востоков Николай Владимирович, к.ф.-м.н. Данильцев Вячеслав Михайлович, к.ф.-м.н. Дроздов Михаил Николаевич, д.ф.-м.н. Дроздов Юрий Николаевич (ИФМ РАН – филиал ИПФ РАН), Колесников Максим Иванович (АО «ВЗПП-С»), к.ф.-м.н. Королев Сергей Александрович, Краев Станислав Алексеевич (ИФМ РАН – филиал ИПФ РАН), к.т.н. Крюков Виталий Львович (ООО «МеГа Эпитех»), к.х.н. Охапкин Андрей Игоревич, Скороходов Евгений Владимирович (ИФМ РАН - филиал ИПФ РАН), Харченко Максим Эдуардович (АО «ВЗПП-С»), Хрыкин Олег Игоревич, д.ф.-м.н. Шашкин Владимир Иванович (ИФМ РАН – филиал ИПФ РАН); · «Моделирование 3D кремниевых неравномерно легированных транзисторов: от ВАХ до логических вентилей» – к.ф.-м.н. Масальский Николай Валерьевич (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Заявки на участие направлять в письме ученому секретарю научного совета О.А. Тельминову: otelminov@niime.ru.