Samsung выпустит 3-нм процессоры в 2021 году

С каждым годом флагманские SoC, составляющие основу современных смартфонов, становятся всё меньше. На данный момент доступны чипы, изготовленные по 7-нм техпроцессу, а в следующем году выйдут и 5-нм чипы. Тем не менее, Samsung объявила о прорыве в производстве микросхем, который поможет литейным заводам добиться миниатюризации техпроцесса до 3 нм. На конференции Samsung Foundry Forum 2019 южнокорейский производитель объявил, что 3-нм техпроцесс Gate-All-Around (3GAE) уже находится в разработке, и позволит заменить транзисторы, лежащие в основе чипов, на более меньшие. Благодаря применению GAA быстродействие чипов увеличится на 35%, а энергопотребление сократиться до 50%. Будучи более сложными в производстве 3-нм чипы GAA, вероятно, будут стоить намного дороже, чем предыдущее поколение SoC, и, следовательно, могут привести к меньшему распространению на рынке. Тем не мение, Райан Ли, вице-президент по маркетингу литейного бизнеса, сказал, что со временем стоимость производства будет снижаться. Процессоры Samsung, основанные на 3-нм процессоре GAA, появятся уже в 2021 году. Американец обманул Apple на $1 миллион – ему грозит 40 лет тюрьмы MicroSD-карта на 1 ТБ появилась в продаже по цене $450 Motorola One Vision – смартфон с 48-Мп камерой и чипсетом Exynos за €300