Учёные Курчатовского института разработали платформу по созданию материалов для электроники будущего

«Курчатовский институт» разработали новую стратегию получения перспективных материалов для электроники. Они создаются путем интеграции двух компонентов – кремниевой основы и функционального оксида, который формируется в виде тонкой пленки. Суть стратегии заключается в управлении границей раздела между этими двумя компонентами в материале. Предложенный подход универсален и позволит в будущем получить большое разнообразие структур с уникальными свойствами, которые будут востребованы для создания энергоэффективных устройств». «Кремниевая электроника подошла к своему технологическому пределу. Сегодня для создания компактных устройств с низким потреблением энергии необходимы новые материалы. Они, с одной стороны должны задействовать существующую кремниевую технологическую платформу, а с другой – обладать свойствами, которые у кремния отсутствуют», – пояснил руководитель лаборатории новых элементов наноэлектроники НИЦ «Курчатовский институт» Вячеслав Сторчак. По его словам, перспективным решением является интеграция кремния с функциональными оксидами ввиду многообразия и уникальности их свойств.