Инженеры создали революционную карту памяти

Итальянские инженеры из компании Micron при сотрудничестве с Intel создали революционную карту памяти с общим объемом 3,5 терабайта Карта памяти SSD объемом 3,5 терабайта размером с пластинку жевательной резинки была разработана в центрах Micron Technology в Авеццано и Падуе и создана при сотрудничестве с Intel. Каждый чип содержит 348 гигабит информации. Это карта флеш-памяти с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Итальянские инженеры создали новую технологию NAND 3D, суть которой заключается в том, что ячейки памяти располагаются вертикально, они устанавливаются одна на другую. Благодаря этому появилась возможность хранить в три раза больше данных, чем при использовании традиционной двухмерной технологии NAND, поскольку размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Теперь один чип может содержать не 128 гигабит информации, как ранее, а 348 гигабит. Новая технология позволит создавать ультралегкие ноутбуки, мобильные телефоны, планшеты и другие гаджеты, а также будет использоваться в центрах обработки данных.